 大芯超導有限公司元器件專業分銷BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET，BASiC基本半導體碳化硅功率器件，BASiC SiC MOSFET,BASiC SiC JBS碳化硅二極管,BASiC SiC碳化硅模塊，BASiC基本半導體SiC碳化硅MOSFET模塊，BASiC基本半導體單管IGBT，BASiC基本半導體IGBT模塊，BASiC基本半導體三電平IGBT模塊，BASiC基本半導體I型三電平IGBT模塊，BASiC基本半導體T型三電平IGBT模塊，BASiC 混合IGBT單管，BASiC 混合IGBT模塊，BASiC 三電平IGBT模塊。BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊適合應用于雙向AC-DC電源，能量的雙向流通的雙向 LLC 諧振變換器，變換效率高，被廣泛應用于新能源領域,BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊使用于雙向DC/DC變換器為雙向非隔離型直流變換器，實現直流升壓降壓轉換，高壓側接入PV直流側，三相維也納PFC電路,三電平LLC直流變換器,移相全橋拓撲，低壓側接電池組。 LLC諧振變換器能實現全負載范圍內開關管的零電壓開通(ZVS,Zero Voltage Switching),相比其他開關電源,其輸入輸出電壓調節范圍較寬,且具有高效率,低噪聲,高功率密度等諸多優點.與傳統Si基功率器件相比,BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊具有更加優良的特性,更加適用于高頻高壓大功率場合.針對單相LLC諧振變換器在大電流大功率輸出應用時的不足,采用三相交錯并聯的LLC諧振變換器拓撲并將其與BASiC基本半導體碳化硅SiC功率MOSFET,基本半導體混合SiC-IGBT單管，BASiC基本半導體混合SiC-IGBT模塊相結合提升功率密度.雙向LLC諧振變換器廣泛應用于充電樁電源模塊，V2G電源模塊，電網儲能PCS，從調峰調頻到備電、價差套利，儲能將成為新型電力系統的穩定器，雙向LLC諧振變換器電源模塊化助推儲能PCS業務發展。 
BASiC基本半導體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速IGBT技術和碳化硅肖特基二極管的主要優點，具備出色的開關速度和更低的開關損耗，TO-247 4 引腳封裝具有一個額外的開爾文發射極連接。此 4 引腳也被稱為開爾文發射極端子，繞過柵極控制回路上的發射極引線電感，從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開關速度并降低開關能量。英飛凌單管IGBT國產代替主要規格有BG50N65HA1，BGH50N65HF1（IKW50N65RH5國產替代，AIKW50N65RF5國產替代，IKW50N65ES5國產替代，IKW50N65EH5國產替代，IKW50N65ET7國產替代），BGH50N65HS1典型應用戶用光伏儲能機雙向Buck-Boost電路，單相光伏逆變器Heric電路 (IKW50N65SS5國產替代),BGH50N65ZF1（IKZA50N65RH5，IKZA50N65SS5國產替代），BG75N65HA1，BGH75N65HF1（IKW75N65RH5國產替代，IKW75N65ES5國產替代，IKW75N65EH5國產替代，IKW75N65ET7國產替代），BGH75N65HS1典型應用戶用光伏儲能機雙向Buck-Boost電路，單相光伏逆變器Heric電路 (IKW75N65SS5國產替代),BGH75N65ZF1（IKZA75N65RH5，IKZA75N65SS5國產替代），BGH40N120HF典型應用光伏三相儲能機雙向Buck-Boost電路，T型三電平橫管（IKW40N120H3，IKW40N120CS6，IKW40N120CS7國產替代）,BGH75N120HS 典型應用光伏三相儲能機雙向Buck-Boost電路，T型三電平橫管 (IKQ75N120CH3國產替代，IKQ75N120CS6國產替代，)特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見應用包括：戶用光伏逆變器650V混合SiC IGBT單管，戶用光伏逆變器，組串光伏逆變器，戶用儲能逆變器，雙向變流器，雙向逆變器，車載充電機（OBC）、ESS儲能系統、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統 (UPS)，以及服務器和電信用開關電源 (SMPS) ，基本半導體混合碳化硅分立器件將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的方案。該器件將傳統的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應用中可以替代傳統的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復二極管合封），使IGBT的開關損耗大幅降低，適用于車載電源充電機（OBC）、通信電源、高頻DC-DC電源轉換器、儲能等領域。 
高效逆變器用 HERIC 電路和相關工藝可用于單相逆變器，該拓撲是在H橋的橋臂兩端加上兩個反向的開關管進行續流，以達到續流階段電網與光伏電池隔離的目的,尤其是在低功率范圍內（如屋頂光伏系統），其基于傳統H4電路上在交流側加入旁路功能的代和二代產品的優點，采用JBS結構，優化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向導通壓降VF和結電荷QC，可以降低應用端的導通損耗和開關損耗。
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