Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 用于芯片去層
某芯片設計機構研究部門采用伯東 Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 用于芯片去層.
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Hakuto 離子蝕刻機 7.5IBE 技術規格:
真空腔 | 1 set, 主體不銹鋼,水冷 |
基片尺寸 | 1 set, 4”/6”? Stage, 直接冷卻, |
離子源 | ? 8cm 考夫曼離子源 KDC75 |
離子束入射角 | 0 Degree～± 90 Degree |
極限真空 | ≦1x10-4 Pa |
刻蝕性能 | 一致性: ≤±5% across 4” |
該 Hakuto 離子刻蝕機 7.5IBE 的核心構件離子源是配伯東公司代理美國考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的考夫曼離子源 KDC 75
伯東美國 KRI 考夫曼離子源 KDC75 技術參數：
離子源型號 | 離子源 KDC 75 |
Discharge | DC 熱離子 |
離子束流 | >250 mA |
離子動能 | 100-1200 V |
柵極直徑 | 7.5 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 |
流量 | 2-15 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 |
典型壓力 | < 0.5m Torr |
長度 | 20.1 cm |
直徑 | 14 cm |
中和器 | 燈絲 |
無論對于工藝設計, 還是生產控制或者缺陷分析, 去層分析是一種重要手段, 芯片本身多層結構（Passivation, metal, IDL）可一層一層去除, 也就是芯片去層（Delayer）, 通過層次去除（Delayer）可逐層檢視是否有缺陷, 并可提供后續實驗, 清楚呈現出每一層電路布線結構.
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